基础信息
基本信息
| 申请号 | CN202310613278.5 | 申请日期 | 2023-05-25 |
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| 公开公告号 | -- | 公开公告日 | -- |
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| 优先权号 | -- | 优先权日 | -- |
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| ICP分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0745(2012.01)I; | CPC分类号 | H01L31/18 |
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| 专利类型 | 发明 | 法律状态 | 公布 |
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法律节点
| 申请（专利权）人 | 鄂尔多斯应用技术学院 | 发明人 | 范文亮;姚海燕;杨忠萍;高原 |
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| 申请人地址 | 内蒙古自治区鄂尔多斯市康巴什区鄂尔多斯大街东1号 | 申请人邮编 | 017010 |
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| 代理机构 | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 叶美琴 |
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摘要
本发明涉及一种引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.制备硅基底。S2.制备CuSCN/Si薄膜层。S3.制备Gr/CuSCN/Si器件。S4.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S5.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si异质结太阳能电池。本发明首次从实验上将CuSCN空穴传输层用于Gr/Si基太阳能电池作为界面层来改善该类太阳能电池的载流子迁移率、化学稳定性和热稳定性等特性。
